Hello Guest

Sign In / Register
Ελλάδα
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriKongeriketМонголулсO'zbekTiếng ViệtहिंदीاردوKurdîCatalàBosnaEuskera‎العربيةفارسیCorsaChicheŵaעִבְרִיתLatviešuHausaБеларусьአማርኛRepublika e ShqipërisëEesti Vabariikíslenskaမြန်မာМакедонскиLëtzebuergeschსაქართველოCambodiaPilipinoAzərbaycanພາສາລາວবাংলা ভাষারپښتوmalaɡasʲКыргыз тилиAyitiҚазақшаSamoaසිංහලภาษาไทยУкраїнаKiswahiliCрпскиGalegoनेपालीSesothoТоҷикӣTürk diliગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Σπίτι > Νέα > GlobalFoundries: Το τσιπ τρισδιάστατου βραχίονα στο πακέτο FinFET των 12nm έχει αναπτυχθεί

GlobalFoundries: Το τσιπ τρισδιάστατου βραχίονα στο πακέτο FinFET των 12nm έχει αναπτυχθεί

Σύμφωνα με τα ξένα μέσα του Tom's Hardware, η GlobalFoundries ανακοίνωσε αυτή την εβδομάδα ότι έχει κατασκευάσει με επιτυχία τρισδιάστατα μάρκες υψηλής απόδοσης χρησιμοποιώντας τη διεργασία FinFET των 12nm.

"Αυτά τα τρισδιάστατα τσιπ υψηλής πυκνότητας θα φέρουν νέες επιδόσεις και ενεργειακή αποδοτικότητα σε εφαρμογές πληροφορικής όπως AI / ML (τεχνητή νοημοσύνη και μηχανική μάθηση) και κινητές και ασύρματες λύσεις υψηλού επιπέδου για τους καταναλωτές". δήλωσε η GlobalFoundries.

Σύμφωνα με αναφορές, η GlobalFoundries και η Arm έχουν επικυρώσει τη μέθοδο δοκιμής 3D Design (DFT) χρησιμοποιώντας την υβριδική επένδυση από wafer-to-wafer της Groffont. Αυτή η τεχνολογία υποστηρίζει έως και 1 εκατομμύριο 3D συνδέσεις ανά τετραγωνικό χιλιοστό, γεγονός που καθιστά εξαιρετικά επεκτάσιμη και αναμένεται να προσφέρει μεγαλύτερη διάρκεια ζωής για μάρκες 12nm3D.

Για την τεχνολογία συσκευασίας 3D, η Intel ανακοίνωσε την έρευνά της για την τρισδιάστατη τοποθέτηση τσιπ πέρυσι. Η AMD μίλησε επίσης για τη λύση της υπέρθεσης 3D DRAM και SRAM στο τσιπ της.